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2023.11.01
思遠半導體(tǐ)攜智能穿戴低(dī)功耗電(diàn)源解決方案亮相第十屆中國IoT大(dà)會(huì)

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思遠半導體(tǐ)市場(chǎng)銷售總監 王飛



10月30日至31日,由電(diàn)子發燒友(yǒu)和(hé)慕尼黑(hēi)華南電(diàn)子展聯合主辦的以“智物聯,新風向”為(wèi)主題的2023第十屆中國IoT大(dà)會(huì)在深圳國際會(huì)展中心圓滿舉行(xíng),本次大(dà)會(huì)旨在為(wèi)各大(dà)應用市場(chǎng)更好地了解最新IoT創新技(jì)術(shù)帶來(lái)的商機和(hé)挑戰,更好地把握市場(chǎng)脈搏。其中,思遠半導體(tǐ)市場(chǎng)銷售總監王飛受邀出席本屆大(dà)會(huì)的可(kě)穿戴設備分論壇,為(wèi)現場(chǎng)與會(huì)人(rén)士帶來(lái)關于“思遠半導體(tǐ)智能穿戴低(dī)功耗電(diàn)源解決方案”的演講,包括分享智能手表發展的曆程與功能演變,以及介紹基于智能手表對電(diàn)源在更長續航、精準監測、穩定連接等方面的需求,思遠半導體(tǐ)可(kě)提供的更高(gāo)效、更緊湊、更智能的智能穿戴産品電(diàn)源解決方案

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Buck:

低(dī)功耗//低(dī)紋波//高(gāo)效率//

優秀的動态響應

SY5111、SY5112

SY5111:6V,300mA 低(dī)功耗Buck

SY5112:6V,600mA 低(dī)功耗Buck

•2.15~6V 輸入電(diàn)壓 

•靜态功耗低(dī)至200nA 

•100uA負載效率高(gāo)達90% 

•輕載PFM模式

•輸出電(diàn)壓可(kě)選 

•輸出放電(diàn)模式 

•WLCSP-8:1.7mm*0.9mm

•DFN2x2-8

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Boost:

低(dī)功耗//低(dī)紋波//高(gāo)效率//

優秀的動态響應

SY5951

超低(dī)功耗同步Boost

•0.7~5.5V 輸入電(diàn)壓

•Vin:50nA靜态電(diàn)流 

•峰值限流高(gāo)至1A 

•輕載PFM模式 輸出電(diàn)壓可(kě)調,定壓版本可(kě)選

•Shutdown模式下輸出完全斷開(kāi) 

•0.1mA負載效率高(gāo)達90% 

•10-300mA負載效率高(gāo)達93% 

•WLCSP-8:1.4mm*1mm

•DFN2x2-8

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LDO:

低(dī)功耗//高(gāo)PSRR//高(gāo)精度

SY5002

5.5V,300mA低(dī)功耗LDO

•1.8~5.5V 輸入電(diàn)壓 

•靜态功耗低(dī)至600nA 

•Standby電(diàn)流低(dī)至30nA 

•1%輸出電(diàn)壓精度 

•固定輸出電(diàn)壓版本

•PSRR:63dB @10mA,0.8V,1kHz

•輸出自動放電(diàn)功能 

•Low dropout電(diàn)壓:196mV @3.3V,300mA

•DFN1x1-4 

•SOT23-5

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Load-switch:

低(dī)功耗//低(dī)阻抗//小(xiǎo)封裝//

部分應用需要輸出防倒灌

SY5702

5.5V,2A,帶RCP低(dī)功耗Load-switch

•1.2~5.5V 輸入電(diàn)壓 

•靜态功耗低(dī)至250nA 

•shutdown電(diàn)流低(dī)至10nA 

•43mohm內(nèi)部阻抗

•輸出電(diàn)壓防倒灌功能 

•輸出自動放電(diàn)功能 

•FOCSP4:0.76x0.76mm

•DFN1x1-4

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SY5701

5.5V,1.5A,低(dī)功耗Load-switch

•1.2~5.5V 輸入電(diàn)壓 

•靜态功耗低(dī)至15nA 

•shutdown電(diàn)流低(dī)至10nA 

•66mohm內(nèi)部阻抗

•輸出自動放電(diàn)功能 

•FOCSP4:0.76x0.76mm

•DFN1x1-4

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穿戴系統的充電(diàn)管理(lǐ):

低(dī)功耗,高(gāo)精度等

SY6202

I2C,NVDC,1.5A Buck 開(kāi)關充電(diàn)

•耐壓高(gāo)達22V 

•1.5MHz開(kāi)關頻率 

•0.5%充電(diàn)電(diàn)壓精度 

•5%充電(diàn)電(diàn)流精度 

•截止電(diàn)流低(dī)至20mA 

•1A充電(diàn)效率高(gāo)達92% 

•內(nèi)置遠端電(diàn)池采樣 

•內(nèi)部參數(shù)I2C可(kě)調 

•NVDC power path 

•10.5uA stand-by電(diàn)流 

•Shipmode電(diàn)流低(dī)至1.2uA 

•CSP20-2x2mm

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伴随人(rén)工智能、物聯網等高(gāo)新技(jì)術(shù)持續發展、消費者對電(diàn)子終端的需求逐步增加,智能穿戴産品的功能将随之更加完善,芯片在其中發揮的核心作(zuò)用也将更為(wèi)重要,思遠半導體(tǐ)将會(huì)持續深耕智能穿戴産品市場(chǎng),不斷提升團隊研發及創新實力,為(wèi)全球客戶帶來(lái)更多(duō)優質的“芯”産品





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