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2022.06.17
新品 | 思遠半導體(tǐ)推出集成eFuse功能的OVP&OCP産品SY5321 助力提升消費電(diàn)子産品的可(kě)靠性


       近年來(lái),随着5G、物聯網、人(rén)工智能等新興技(jì)術(shù)的發展,越來(lái)越多(duō)樣化的便攜消費電(diàn)子産品進入消費者的生(shēng)活,也帶來(lái)了豐富的應用體(tǐ)驗,用戶對于電(diàn)子産品端口插拔應用的可(kě)靠性要求也在持續提升。


      以智能手表手環的應用為(wèi)例,适配器(qì)輸出通(tōng)過充電(diàn)底座的pogo pin連接到主機進行(xíng)充電(diàn),為(wèi)了防止外露的pogo pin短(duǎn)路損壞,充電(diàn)底座上(shàng)往往會(huì)增加Fuse進行(xíng)電(diàn)流過流及短(duǎn)路防護;而主機端口為(wèi)了實現浪湧防護和(hé)熱插拔的保護,也會(huì)在端口增加獨立的OVP&OCP芯片。


      為(wèi)了提升産品的端口防護可(kě)靠性,思遠半導體(tǐ)推出集成eFuse功能的OVP&OCP端口保護IC  SY5321,這是一款具有(yǒu)輸入欠壓和(hé)過壓保護、負載電(diàn)流異常保護,以及過溫保護等特點集一身的高(gāo)集成OVP& OCP IC。SY5321應用于充電(diàn)電(diàn)路或低(dī)壓系統的前端,以避免锂電(diàn)池或低(dī)壓系統受異常輸入故障的影(yǐng)響,可(kě)承受高(gāo)達30V的異常輸入電(diàn)壓。


       當輸入電(diàn)壓大(dà)于過壓保護阈值時(shí),IC将在50nS內(nèi)快速關閉內(nèi)部MOSFET,避免後端低(dī)壓系統受到異常高(gāo)輸入電(diàn)壓的影(yǐng)響;IC可(kě)通(tōng)過ILIM與地連接的電(diàn)阻限定輸入電(diàn)流,防止低(dī)壓系統的輸入電(diàn)流過大(dà);同時(shí)當IC檢測到芯片溫度超過過溫保護阈值時(shí),也将關閉MOSFET,停止供電(diàn)。當SY5321由處理(lǐ)器(qì)控制(zhì)時(shí),主機可(kě)通(tōng)過FLT狀态獲取IC的工作(zuò)狀态。


SY5321産品特性

· 30V輸入耐壓

· 高(gāo)精度的輸入過壓保護

· 輸入OVP保護關斷小(xiǎo)于50nS

· 軟啓動以抑制(zhì)浪湧電(diàn)流

· 支持高(gāo)達3A的電(diàn)流輸出能力

· 外接電(diàn)阻設置OCP,±10%精度

· 支持EFUSE應用

· 熱關斷

· EN使能功能

· FLT狀态指示

· DFN-2x2-8L封裝

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(SY5321典型應用圖-端口輸入防護)

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(SY5321典型應用圖 – eFuse應用)


      SY5321典型應用包括但(dàn)不限于智能手表、手環、TWS耳機充電(diàn)倉、MP3播放器(qì)、手機等便攜式電(diàn)子産品。對SY5321感興趣的小(xiǎo)夥伴,可(kě)以聯系對應的代理(lǐ)商或者銷售窗口來(lái)申請(qǐng)開(kāi)發闆及樣品。

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(SY5321典型應用)

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