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SY8601是一款集成高(gāo)壓輸入，采用恒 定電(diàn)流/電(diàn)壓的單節锂電(diàn)池線性充電(diàn)IC。IC可(kě)承受高(gāo)達28V的輸入電(diàn)壓，為(wèi)防止過高(gāo)的功耗，輸入電(diàn)壓高(gāo)于6.5V過壓保護阈值後，充電(diàn)功能将關閉。高(gāo)達28V的輸入電(diàn)壓承受能力，對于低(dī)壓充電(diàn)器(qì)可(kě)省掉所需的輸入過壓保護電(diàn)路。
SY8601內(nèi)部集成防倒充電(diàn)路，不需要 外部隔離二極管。內(nèi)置熱衰控制(zhì)，可(kě)對充電(diàn)電(diàn)流進行(xíng)智能調節，以提升IC的可(kě)靠性。IC提供NTC接口，可(kě)供锂電(diàn)池溫度檢測保護。
SY8601預設4.2V/4.35V充電(diàn)浮充電(diàn)壓而恒流充電(diàn)電(diàn)流和(hé)充電(diàn)截止電(diàn)流，可(kě)通(tōng)過外接電(diàn)阻設定，IC可(kě)适應更多(duō)應用需求。當電(diàn)池電(diàn)壓低(dī)于2.6V，IC将以20%的恒流充電(diàn)電(diàn)流給電(diàn)池預充電(diàn)。
SY8601提供PPR和(hé)CHG腳，為(wèi)漏極開(kāi)路 的NMOS驅動結構，可(kě)驅動LED指示燈，亦可(kě)與EN腳組合，與MCU進行(xíng)簡單的信号交互處理(lǐ)。當電(diàn)源接入VIN且滿足IC工作(zuò)條件時(shí)， PPR為(wèi)開(kāi)啓狀态。CHG為(wèi)充電(diàn)截止指示，當 充電(diàn)電(diàn)流低(dī)于設定的充電(diàn)截止電(diàn)流後，CHG關閉。
SY8601采用DFN-2x3-8L封裝，建議工 作(zuò)溫度範圍為(wèi)-40℃~+85℃。
預設4.2V/4.35V浮充電(diàn)壓，精度達±1%
充電(diàn)電(diàn)流10mA~500mA可(kě)設定，精度±10%
充電(diàn)截止電(diàn)流可(kě)設定，精度±15%
支持藍(lán)牙耳機等小(xiǎo)截止電(diàn)流應用
涓流/恒流/恒壓三段式充電(diàn)
無需MOSFET、檢測電(diàn)阻器(qì)或隔離二極管
充電(diàn)電(diàn)流智能熱調節
電(diàn)池溫度檢測保護
6.5V輸入過壓保護
28V輸入電(diàn)壓，無需輸入過壓保護電(diàn)路
電(diàn)源存在指示和(hé)充電(diàn)狀态指示
自動再充電(diàn)
符合IEC62368最新标準
DFN-2x3-8L封裝
可(kě)穿戴便攜設備
無線藍(lán)牙耳機
IOT設備
智能控制(zhì)設備
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網址：www.tkplusemi.com
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SY8601